TSMC presenta los nuevos nodos N3/E Finflex y el nodo N2 Nanosheet

TSMC celebró recientemente su simposio anual de tecnología en el que habló sobre el futuro de la tecnología de nodos tecnológicos que se utilizará en las futuras generaciones de procesadores. TSMC ha tenido varios avances importantes, incluida la nueva tecnología Finflex para N3 y N3E, así como el nuevo nodo N2 con nueva tecnología de transistores. 

Según TSMC, el nodo N2 es el próximo gran avance después del N3. Con un aumento de velocidad del 10-15 % con la misma potencia, o una reducción de potencia del 25-30 % con la misma velocidad, el nuevo nodo N2 promete ofrecer otro salto generacional. El nuevo proceso de fabricación utilizará la arquitectura de transistores de nanoláminas e incluirá una variante de alto rendimiento, una versión móvil y una solución centrada en chiplet.

Pasando a Finflex, la nueva tecnología de TSMC promete dar a los clientes más flexibilidad con tres configuraciones diferentes. Estas son la configuración de 3-2 aletas para componentes de alto rendimiento, la configuración de 2-1 aletas para máxima eficiencia y densidad de transistores, y la configuración equilibrada de 2-2 aletas. Esta nueva tecnología estará disponible para los nodos de tecnología N3 y N3E, lo que permitirá a los clientes crear soluciones que se adapten a sus necesidades.

Además del N2 y la nueva tecnología Finflex, TSMC también habló sobre el sucesor del N12e. Como parte de la plataforma TSMC Ultra-Low Power, el nuevo nodo está diseñado para dispositivos de borde de IA e IoT. Además, estará basado en el proceso de 7nm, ofreciendo tres veces la densidad lógica de su predecesor. Finalmente, la compañía de semiconductores dijo que el soporte para el apilamiento CoW (Chip-On-Wafer) y WoW (Wafer-On-Wafer) llegará al nodo N5 en 2023.