Samsung se asocia con un fabricante estadounidense de silicio para impulsar el rendimiento de GA de 3nm

Samsung anunció que comenzaría a fabricar en un proceso de 3nm (3nm) utilizando la » arquitectura GAA » en julio a principios de este año, pero según los últimos informes de Commercial Times , la empresa está luchando con un rendimiento asombroso del 20%.

El comunicado de prensa inicial para el nodo GAA de 3 nm decía: «El proceso optimizado de 3 nm proporciona una reducción del 45 % en el consumo de energía, una mejora del 23 % en el rendimiento y un área de superficie un 16 % más pequeña en comparación con el proceso de 5 nm». Sin embargo, Samsung no cumplió con los objetivos, lo que provocó que muchos clientes empresariales cambiaran a componentes de silicio alternativos y más eficientes, como el nodo de 5 nm de TSMC , a pesar de que TSMC usaba la tecnología de la generación anterior.

Samsung apuesta por la tecnología Silicon Frontline para ayudar a lograr un mayor rendimiento GAA de 3nm

El talón de Aquiles que degrada el rendimiento del nodo GAA de 3nm de Samsung es una descarga electrostática fuera de control. Silicon Frontline Technology ha desarrollado métodos probados para mejorar el rendimiento de los nodos de 3 nm mediante el uso de tecnologías de purificación de agua y prevención de ESD.

Se han logrado algunos avances y Samsung tiene la intención de restablecer su empresa con Qualcomm después de que la compañía dejara Samsung por TSMC debido a la falla de su nodo de 4 nm. Según el usuario de Twitter Connor , Samsung se asoció recientemente con AMD y Google para desarrollar un diseño de chip de teléfono inteligente de alto rendimiento para su próximo buque insignia de 3 nm.

[❗️Exclusive❗️]

So, This is the end of my Dream Team Leaks.

This SoC Desgin, Will return 5 years later(2020~2025). Research with Google Tensor Department and AMD Radeon, this could be a most stablized and powerful computing process on Galaxy "Phone". pic.twitter.com/q3VF2ZPVeb

— Connor / 코너 / コナー (@OreXda) November 15, 2022

TSMC también anunció una planta de $ 12 mil millones en Arizona únicamente para fabricar el proceso de 3 nm. A medida que se intensifica la competencia entre los dos gigantes de los semiconductores, Samsung podría perder potencialmente a sus clientes corporativos si su asociación con Silicon Frontline Technology no mejora los márgenes.